Процесът RIE (реактивно йонно ецване) е процес на сухо ецване, който се използва главно в производството на електроника и микроелектроника за бързо почистване или активиране на повърхността, за изпепеляване на фоторезист или за структуриране на вериги върху полупроводникови пластини.

За тази цел обикновено се използва т.нар. реактор с плоски плочи, както е показано схематично на фигура 1. Ако към електродите се приложи високочестотно променливо напрежение при отрицателно налягане в диапазона от 10-2 до 10-1 mbar, се запалва газов разряд под ниско налягане (плазма). Поради различната подвижност на заредените газови частици в плазмата (тежки йони, леки електрони) на по-малкия електрод се натрупва отрицателен потенциал, т.нар. потенциал на самонапрежение. Той е в диапазона от няколко 10 до няколко 100 волта.

При използване на правилните технологични газове върху субстратите (пластини, печатни платки и др.), които се намират върху по-малкия електрод, се наблюдават два ефекта:

1. Химическо отстраняване на повърхността на субстрата или на съществуващите примеси чрез реакция с реактивни частици от плазмата (плазмено ецване)
2. Физическо отстраняване чрез директно пренасяне на импулса на йони, ускорени в електрическото поле, към повърхността (ецване чрез разпрашване)

Процесът RIE съчетава предимствата и на двата ефекта - висока селективност, висока скорост на ецване и анизотропно отстраняване.